課程資訊
課程名稱
 光電半導體技術
COMPOUND SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY 
開課學期
 94-2 
授課對象
 電機資訊學院  電子工程學研究所  
授課教師
 林浩雄 
課號
 EE5115 
課程識別碼
 921 U7150 
班次
  
學分
 3 
全/半年
 半年 
必/選修
 選修 
上課時間
 星期四6,7,8(13:20~16:20) 
上課地點
 電二145 
備註
  
Ceiba 課程網頁
 http://ceiba.ntu.edu.tw/942CST 
課程簡介影片
 
核心能力關聯
 本課程尚未建立核心能力關連
課程大綱
為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
課程概述

本課程介紹以GaAs及InP為主的三五族化合物半導體材料系統的磊晶及製程技術。
一、 光電半導體材料的種類及基本特性
二、 塊材成長技術
三、 真空技術
四、 磊晶技術：分子束磊晶法
五、 磊晶技術：有機金屬化學沈積法
六、 磊晶技術：液相磊晶法
七、 製程技術：光罩幕法、乾濕式蝕刻、離子佈值、雜質擴散、歐姆接觸
八、 量測技術： X光繞射、光激螢光譜、霍爾效應
 

課程目標
 瞭解三五族化合物半導體的磊晶、製程與量測技術 
課程要求
 無預修課程 
預期每週課後學習時數
  
Office Hours
  
指定閱讀
  
參考書目
 主要參考書目：

1. T. Swaminathan, and A. T. Macrander, Materials aspects of GaAs and
InP based structures, Prentice Hall, 1991.
2. A. Katz, Indium Phosphide and related materials: Processing,
Technology, and Devices, Artech House, 1992.
3. R. E. Willams, GaAs processing technique, 2nd Ed., Artech House, 1990.

其他參考書目：

1. A. Roth, Vacuum technology, North-Holland, 1976.
2. B. Chapman, Glow discharge processes, New York :Wiley, 1980.
3. M. J. Howes, and D. V. Morgan, GaAs materials devices and circuits,
Chichester : Wiley, 1985.
4. E. H. C. Parker, The technology and physics of molecular beam
epitaxy, New York : Plenum Press, 1985.
5. M. B. Panish and H. Temkin, Gas source molecular beam epitaxy,
Springer-Verlag, 1993.
6. M. A. Herman and H. Sitter, Molecular Beam Epitaxy, Springer-Verlag,
2nd Ed., 1996. 
評量方式
(僅供參考)
  
No.
項目
百分比
說明
1. 
 期中考 
35% 
  
2. 
 期末考 
45% 
  
3. 
 隨堂測驗 
0% 
  
4. 
 作業 
20% 
  
5. 
 報告 
0% 
  
 
課程進度
週次
日期
單元主題
第1週
 2/23  投影片下載 Properties 01 
第3週
 3/09  投影片下載 Properties 02 
第4週
 3/16  投影片下載 Properties 03 
第5週
 3/23  投影片下載 Bulk growth 
第6週
 3/30  投影片下載 Vacuum technology 
第7週
 4/06  投影片下載 Liquid phase epitaxy 
第10週
 4/27  投影片下載 Molecular beam epitaxy 
第11週
 5/04  投影片下載 Molecular beam epitaxy 
第12週
 5/11  投影片下載 Molecular beam epitaxy 
第13週
 5/18  投影片下載 vapour phase epitaxy 
第14週
 5/25  投影片下載 vapour phase epitaxy 
第16週
 6/08  投影片下載 processing 
第17週
 6/15  投影片下載 processing 20060615